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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorMartínez Jara, Eustaquio Alcides-
dc.date.accessioned2019-05-10T12:47:20Z-
dc.date.available2019-05-10T12:47:20Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.urihttp://localhost:8080/xmlui/handle/123456789/495-
dc.descriptionRevista Fpune Scientific Núm. 5 (2009)es_ES
dc.description.abstractEl presente trabajo presenta un modelo para simulación para el recientemente construido componente eléctrico, el memristor. Se presenta el modelo en tres versiones, todos basados en el propuesto por científicos de los laboratorios de la HP. Simulaciones realizadas del componente y su comportamiento en circuitos básicos como el MC, ML y MLC presentan resultados coherentes con los reportados en estudios teóricos encontrados en la literatura consultada.es_ES
dc.language.isoeses_ES
dc.publisherFacultad Politécnica, Universidad Nacional del Estees_ES
dc.subjectMemristores_ES
dc.subjectSimulaciónes_ES
dc.subjectPSpices_ES
dc.subjectCircuito MCes_ES
dc.subjectCircuito MLes_ES
dc.subjectCircuito MLCes_ES
dc.titleModelos de Simulación del Memristor para el Pspicees_ES
dc.typeArticlees_ES
Aparece en las colecciones: 2008 - 2014

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